Изоляция высокая
Ключевое слово.：
Керамическая подложка из нитрида алюминия является новым типом подложечного материала. Решетка кристаллов нитрида алюминия имеет постоянные решетки a=0.3110 нм, c=0.4890 нм, гексагональная кристаллическая система, основанная на тетраэдрической структуре нитрида алюминия, представляет собой ковалентное соединение с хорошей теплопроводностью, надежной электрической изоляцией, низкой диэлектрической проницаемостью и потерями, нетоксична, и имеет коэффициент теплового расширения, соответствующий кремнию, что делает ее идеальным выбором для новых поколений высокоинтегрированных полупроводниковых подложек и электронных упаковок.
Керамическая подложка из нитрида алюминия является новым типом подложечного материала. Решетка кристаллов нитрида алюминия имеет постоянные решетки a=0.3110 нм, c=0.4890 нм, гексагональная кристаллическая система, основанная на тетраэдрической структуре нитрида алюминия, представляет собой ковалентное соединение с хорошей теплопроводностью, надежной электрической изоляцией, низкой диэлектрической проницаемостью и потерями, нетоксична, и имеет коэффициент теплового расширения, соответствующий кремнию, что делает ее идеальным выбором для новых поколений высокоинтегрированных полупроводниковых подложек и электронных упаковок.
Керамическая подложка из нитрида алюминия является новым типом подложечного материала. Решетка кристаллов нитрида алюминия имеет постоянные решетки a=0.3110 нм, c=0.4890 нм, гексагональная кристаллическая система, основанная на тетраэдрической структуре нитрида алюминия, представляет собой ковалентное соединение с минералом цинкита, обладающее хорошей теплопроводностью, надежной электрической изоляцией, низкой диэлектрической проницаемостью и потерями, нетоксичностью, а также соответствием коэффициента теплового расширения с кремнием. Это делает его идеальным выбором для новых поколений высокоинтегрированных полупроводниковых подложек и электронных упаковок.
Азотированная керамическая керамическая плита — это новый тип материала, транзисторная константа кристаллов азотистого алюминия, с = 0,4890 нм, шестигранная система кристаллов, основанных на сплавах цинка, основанных на азотированной алюминиевой структуре, Ряд превосходных характеристик, обладающих хорошей проводящей, надежной электроизоляцией, низкой диэлектрической константой и диэлектрической изношением, нетоксичными, сопоставляемыми с коэффициентом теплового расширения кремния, рассматриваются как идеальные материалы для нового поколения высокоинтегрированных полупроводниковых пластин и электронных герметизации.
продукц
новост
телефон ：
Тел：
Адрес：
Восточная дорога тарзан, 17, цинхай, провинция хэбэй
Почтов ящик：
Армия фарфоровых электронных материалов хэбэй лимитед
Компания была основана в марте 2021 года в промышленном парке уэстсайд, провинция хебэй, в качестве высокотехнологичного предприятия, специализирующегося на разработке, производстве и продаже специализированных материалов, таких как высококачественный азотистый алюминий и производные товары.
Компании производят в основном высокоочищённый алюминиевый порошок, шарообразный алюминиевый порошок и три вида алюминиевой керамики, с независимыми лабораториями, специализированными научно-исследовательскими и проектными командами, высокотехнологичными технологиями и высококвалифицированными производственно-производственной командой.
Люблю покупки.
Военный фарфор на линии.
Армия фарфоровых электронных материалов хэбэй лимитед
SAF Coolest v1.2 设置面板 AMWSX-ZVSG-PXXAE-EFV
无数据提示
Ничего!
Другие секции или назад Главн страниц